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LED除泡方案:碗杯底部、金线下方晶片旁气泡

LED除泡方案:碗杯底部、金线下方晶片旁气泡

  此类气泡一般较少并且有规律(1-2pcs左右,基本在同一位置)。  产生此类气泡主要有以下几方面的原因:  1.点胶机速度过快。点胶速度过快是万恶之源。  2.点胶针头位置不合理 or 针头毛刺现象严重。位置不合理包括预设针头初始位置不合理、针头高度不合理、点胶过程中机器 or 夹具偏差 or 支架起伏 or 作业员未按要求统一放置支架所带来的针头偏离合理位置等。  3.支架吸湿 or 表…

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晶圆厂加快建设投产!华润微等立下“军令状”-晶圆压膜机

晶圆厂加快建设投产!华润微等立下“军令状”-晶圆压膜机

  1月28日,在广东省高质量发展大会上,华润微电子有限公司总裁李虹、粤芯半导体总裁陈卫分别对外公布了最新项目动态,立下“军令状”。  华润微深圳建设的12英寸特色工艺集成电路生产线一期总投资额超220亿元,争取2024年年底实现通线投产!粤芯半导体,加快三期项目建设,争取2023年年底设备搬入、明年投产!  1、新进展!华润微深圳:12英寸集成电路生产线项目:2024年年底实现通线投产!  1月…

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SMT贴片加工点胶工艺和技术要求-ELT真空脱泡机

SMT贴片加工点胶工艺和技术要求-ELT真空脱泡机

  引线元件通孔插装(THT)与表面贴装(SMT)共存的贴插混装工艺,是当前电子产品生产中采用最普遍的一种组装方式。在整个生产工艺流程中,印刷电路板(PCB)其中一面元件从开始进行点胶固化后,到了最后才能进行波峰焊焊接,这期间间隔时间较长,而且进行其他工艺较多,元件的固化就显得尤为重要,因而对于点胶工艺的研究分析有着重要意义。  SMT贴片加工胶水及其技术要求  SMT中使用的胶水主要用于片式元件…

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微电子封装点胶技术的发展-ELT脱泡机

微电子封装点胶技术的发展-ELT脱泡机

  流体点胶是一种以受控的方式对流体进行精确分配的过程,它是微电子封装行业的关键技术之一。目前,点胶技术逐渐由接触式点胶向无接触式(喷射)点胶技术转变。本文从微电子封装过程的应用出发,对点胶技术的发展进行了概述;在对比各种点胶方式的同时,重点介绍了无接触式喷射点胶技术,以及其中所涉及的关键技术,并提出了评价点胶品质的标准。  流体点胶技术是微电子封装中的一项关键技术,它可以构造形成点、线、面(涂敷…

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晶圆制造过程及系统级封装技术分析

晶圆制造过程及系统级封装技术分析

  智能时代,芯片在我们的生活中无所不在,一颗芯片的诞生,需要经过晶圆制造和芯片成品制造两大阶段。  晶圆制造过程非常复杂,需要经历曝光、蚀刻、离子注入、金属填充、研磨等一系列步骤后,晶圆上的集成电路才能最终成型。  然而晶圆本身是“脆弱”且“封闭”的,无法直接使用,只有经过封装和测试流程,才能最终生产出独立、连通、可靠的芯片成品。  那么,芯片究竟是怎样被封装的呢?  我们首先介绍一种技术成熟、…

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三星电子计划明年扩大晶圆代工产能 急需晶圆压膜机

三星电子计划明年扩大晶圆代工产能 急需晶圆压膜机

  韩国《首尔经济日报》表示,尽管明年全球经济将放缓,三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。据称,三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。  业内消息人士称,三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备,12 英寸晶圆月产能可达 7 万片,明年将把 P3 代工晶圆产能提高 3 万片(共 10 万),高于目前 P3 厂 DRAM 产线的每月 2…

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毛细管底部填充与塑封底部填充工艺对比及气泡问题方案

毛细管底部填充与塑封底部填充工艺对比及气泡问题方案

  毛细管底部填充(CUF)工艺与塑封底部填充(MUF)工艺对比  传统底部填充料中二氧化硅等填料的质量含量一般在 50%~70%之间,而塑封底部填充料申二氧化硅的质量含量高达 80%。同时因为工艺的特点,塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技术与传统底部填充技术相比,对工艺进行了简化,同时提高了生产效率及封装的可靠性,可以满足不断发展的市场整体产品需求。  整道Underfil…

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长电科技实现4纳米芯片封装 空洞问题急带解决

长电科技实现4纳米芯片封装 空洞问题急带解决

  近几个月,全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技宣布,公司在先进封测技术领域又取得新的突破,实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装,以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。  4纳米芯片是5纳米之后、3纳米之前*先进的硅节点技术,也是导入小芯片(Chiplet)封装的一部分。作为集成电路领域的顶尖科技产品之一,4纳米芯片可被应用于智能手机、5G通信、人工智能、自动驾驶,以及包括GPU…

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半导体晶圆越做越大 压膜问题日渐突出

半导体晶圆越做越大 压膜问题日渐突出

  硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm,硅片直径的历史发展趋势如图所示。  目前生产直径为75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的设备仍在使用中,由于把设备升级成能生产更大直径的硅片需要花费上亿美元,所以最常见的做法是在建设新工厂时才引入新的硅片直径。在2000年左右,半导体产业开始转向300mm直径的硅片,进而把对硅片直径的评估测试已经提高到400mm…

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