韩国《首尔经济日报》表示，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。据称，三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。 业内消息人士称，三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备，12 英寸晶圆月产能可达 7 万片，明年将把 P3 代工晶圆产能提高 3 万片(共 10 万)，高于目前 P3 厂 DRAM 产线的每月 2…
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毛细管底部填充(CUF)工艺与塑封底部填充(MUF)工艺对比 传统底部填充料中二氧化硅等填料的质量含量一般在 50%~70%之间，而塑封底部填充料申二氧化硅的质量含量高达 80%。同时因为工艺的特点，塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技术与传统底部填充技术相比，对工艺进行了简化，同时提高了生产效率及封装的可靠性，可以满足不断发展的市场整体产品需求。 整道Underfil…
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近几个月，全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技宣布，公司在先进封测技术领域又取得新的突破，实现4纳米(nm)工艺制程手机芯片的封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。 4纳米芯片是5纳米之后、3纳米之前*先进的硅节点技术，也是导入小芯片(Chiplet)封装的一部分。作为集成电路领域的顶尖科技产品之一，4纳米芯片可被应用于智能手机、5G通信、人工智能、自动驾驶，以及包括GPU…
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硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm，硅片直径的历史发展趋势如图所示。 目前生产直径为75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的设备仍在使用中，由于把设备升级成能生产更大直径的硅片需要花费上亿美元，所以最常见的做法是在建设新工厂时才引入新的硅片直径。在2000年左右，半导体产业开始转向300mm直径的硅片，进而把对硅片直径的评估测试已经提高到400mm…
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以Underfill为例，在CSP、BGA、POP、Flip chip等工艺中中底部填充是封装技术中关键的工艺流程之一。简单来说，底部填充工艺(underfill)是将环氧树脂胶水点涂在倒装晶片边缘，液体通过气液界面处的毛细作用渗透到狭窄的间隙中，这一过程称为微毛细管流动。倒装芯片封装中，将底部填充环氧树脂填充到芯片和基板之间的间隙中，以防止焊料凸点上的裂缝和热疲劳导致的电气故障。硅芯片和…
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1.本技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆辅助切割装置及晶圆压膜机。 背景技术： 2.晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品。 3.晶圆必须经过压膜才能进行后续曝光、显影等工艺。在压膜过程中，先将单一芯片放置在用临时键合材料或热释放胶带(trt)处理过的衬底上，然后…
查看详情 在LED生产中很可能会产生的问题是芯片封装时，杯内汽泡佔有很大的不良比重，但是产品在制作过程中如果汽泡问题没有得到很好的解决或防治，就会造成产品衰减加快的一个因素，从而会表现出IV降低、IR变大、VF升高。那麼，气泡的存在和胶的搅拌充分与否有关係?搅拌结束后抽真空是否彻底有多大关係?环境的温度和湿度对气泡产生是否有较大的影响?是不是点胶方式存在问题也会对气泡的比重有关係?下面我们仅从业内人士给…
查看详情 随着全球半导体产业的大发展，越来越多的产品制程需要采用贴合、底部填充胶、灌注封胶或涂覆胶等工艺。但是在上述工艺制程中，贴合面、胶水或银浆中经常会产生气泡或空洞，导致产品密封性差、散热性差，严重影响产品可靠性、一致性，降低良率，甚至造成电子元器件功能失效，发生质量事故。如何有效消除制程中的气泡呢?台湾ELT20年专注半导体封装气泡解决方案，推出的真空压力除泡烤箱，除泡快、洁净度高、操作简便。 …
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台湾经济日报援引业内人士消息，近期 8 寸晶圆市况率先反转，“急转直下”，预计后期或将蔓延至 12 寸存储芯片用晶圆，再延伸到 12 寸逻辑 IC 应用，预期客户端将于第 4 季到明年第 1 季进行库存调整。 此外，消息人士还提到，有部分晶圆厂商已同意一些下游长约客户要求，延后拉货时程，同时也有晶圆厂还未对于客户要求让步。 据了解，晶圆代工厂客户砍单，产能利用率下滑，这也让先前大闹…
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