在使用光刻胶时，我们往往会遇到气泡的问题，而且气泡的存在往往会直接影响光刻质量，因此我们需要搞清楚气泡产生的原因和怎样消除气泡带来的不良影响。光刻胶的气泡产生的因素是多种多样的，想要搞清楚气泡产生的原因，我们需要按照出现(或者发现)气泡产生的环节进行分析，接下来我们按照涂胶烘烤过程、曝光过程来介绍几种常见的气泡产生原因和消除方法： 旋涂光刻胶时发现气泡 在涂布光刻胶前如果光刻胶瓶子有摇动或…
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晶圆级真空压膜机是一种高精度的加工设备，通常被用于半导体工业中的制造过程。该设备采用真空技术和压力控制技术对物料进行加工和涂覆，从而获得更高质量的半导体材料和元器件。目前市面上有许多品牌的晶圆级真空压膜机，本文将为您介绍其中几个比较知名的品牌以及性能特点，帮助您了解选购时应该考虑哪些因素。 晶圆级真空压膜机的工作原理 晶圆级真空压膜机主要由真空系统、压力控制系统、加热系统、物料夹持系统、涂…
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而得益于新型导电材料的发展，应用于电子线路板生产制造的EAMP™技术日趋成熟，“材料+工艺”配套技术已实现全面突破，生产产品完成各端验证，当下已经发展成为一种满足商业化标准、可大规模应用的生产手段。同时，这种新型线路板级电子增材制造(EAMP™)技术的出现，可有效应对当前电子制造业面临的难题。接下来，我们将深入探讨线路板级EAMP™技术及其优势。 线路板级电子增材制造(EAMP™)技术 线…
查看详情 电子元件长期在高温、高湿等环境下运转将导致其性能恶化，甚至可能会被破坏。因而，需要采用有效的封装方式，不断提高封装材料的性能，才能使得电子元件在外界严苛的使用环境下保持良好的稳定性。 一、三大封装材料统领封装领域 电子封装材料组成分来看，主要分为金属基、陶瓷基和塑料基封装材料。 陶瓷、塑料、金属三大封装材料陶瓷封装在高致密封装中具有较大发展潜力，属于气密性封装。主要材料有Al2O3、AI…
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WLCSP(Wafer-Level Chip-Scale Package)是一种将晶圆级封装(WLP)和芯片尺寸封装(CSP)合为一体的封装技术。芯片尺寸封装(CSP)是指整个package的面积相比于silicon总面积不超过120%的封装技术。该技术有效促进集成电路的小型化，但是其不适合服务器级处理器的应用。晶圆级封装(WLP)是指在晶圆前道工序完成后，直接对晶圆进行封装，再切割分离成…
查看详情 台积电的库存去化时间将比原先预期更长。由于总体经济不佳和市场需求疲弱，库存去化可能要到今年第三季才能结束。虽然受到库存调整的持续影响，不含存储器的半导体产业、晶圆代工产业以及台积电本身的营收都将衰退，但台积电的表现仍将优于产业平均水平。 ChatGPT的走红引起了AI风潮，业界关注ChatGPT效应是否有助于晶圆代工厂商的后续发展。魏哲家表示，ChatGPT确实对库存去化有所帮助，但目前能预…
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焊点中空洞形成的机理多年来一直是研究的主题。已经确定了许多空洞类型和形成机制。最引人注目的是大空洞，大空洞形成的主要因素似乎是焊膏中的化学成分。 微空洞、收缩空洞和Kirkendall空洞也是众所周知的和备有证据的空洞类型，但不属于本文的讨论范围。多年来已建立了许多减少空洞形成的技术。 调整焊膏化学成分、回流焊温度曲线、组件、PCB 和模板设计或涂饰，是当前正在广泛使用的一些优化工具。…
查看详情 先进晶圆级封装技术，主要包括了五大要素： 01 晶圆级凸块(Wafer Bumping)技术 02 扇入型(Fan-In)晶圆级封装技术 03 扇出型(Fan-Out)晶圆级封装技术 04 2.5D 晶圆级封装技术(包含IPD) 05 3D 晶圆级封装技术(包含IPD) 晶圆凸块(Wafer Bumping)，顾名思义，即是在切割晶圆之前，于晶圆的预设位置上形成或安装焊球(亦称凸块…
查看详情 目前热门的3D IC封装、HBM以及FOWLP等先进封装工艺都可见到真空压膜机的踪迹。 真空压膜通常是指在设备的真空模块内将干膜材料与基材进行贴合，完成加热压膜动作，常见的真空压膜机通常都是采用单段加压覆膜以及预贴膜的方式，但该方式对于表面具有许多细微凸凹结构的晶圆(如高深宽比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)无法满足其高深宽比结构的干膜填覆的晶圆级封装需求;另外，先…
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