电子元件长期在高温、高湿等环境下运转将导致其性能恶化，甚至可能会被破坏。因而，需要采用有效的封装方式，不断提高封装材料的性能，才能使得电子元件在外界严苛的使用环境下保持良好的稳定性。 一、三大封装材料统领封装领域 电子封装材料组成分来看，主要分为金属基、陶瓷基和塑料基封装材料。 陶瓷、塑料、金属三大封装材料陶瓷封装在高致密封装中具有较大发展潜力，属于气密性封装。主要材料有Al2O3、AI…
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WLCSP(Wafer-Level Chip-Scale Package)是一种将晶圆级封装(WLP)和芯片尺寸封装(CSP)合为一体的封装技术。芯片尺寸封装(CSP)是指整个package的面积相比于silicon总面积不超过120%的封装技术。该技术有效促进集成电路的小型化，但是其不适合服务器级处理器的应用。晶圆级封装(WLP)是指在晶圆前道工序完成后，直接对晶圆进行封装，再切割分离成…
查看详情 台积电的库存去化时间将比原先预期更长。由于总体经济不佳和市场需求疲弱，库存去化可能要到今年第三季才能结束。虽然受到库存调整的持续影响，不含存储器的半导体产业、晶圆代工产业以及台积电本身的营收都将衰退，但台积电的表现仍将优于产业平均水平。 ChatGPT的走红引起了AI风潮，业界关注ChatGPT效应是否有助于晶圆代工厂商的后续发展。魏哲家表示，ChatGPT确实对库存去化有所帮助，但目前能预…
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焊点中空洞形成的机理多年来一直是研究的主题。已经确定了许多空洞类型和形成机制。最引人注目的是大空洞，大空洞形成的主要因素似乎是焊膏中的化学成分。 微空洞、收缩空洞和Kirkendall空洞也是众所周知的和备有证据的空洞类型，但不属于本文的讨论范围。多年来已建立了许多减少空洞形成的技术。 调整焊膏化学成分、回流焊温度曲线、组件、PCB 和模板设计或涂饰，是当前正在广泛使用的一些优化工具。…
查看详情 先进晶圆级封装技术，主要包括了五大要素： 01 晶圆级凸块(Wafer Bumping)技术 02 扇入型(Fan-In)晶圆级封装技术 03 扇出型(Fan-Out)晶圆级封装技术 04 2.5D 晶圆级封装技术(包含IPD) 05 3D 晶圆级封装技术(包含IPD) 晶圆凸块(Wafer Bumping)，顾名思义，即是在切割晶圆之前，于晶圆的预设位置上形成或安装焊球(亦称凸块…
查看详情 目前热门的3D IC封装、HBM以及FOWLP等先进封装工艺都可见到真空压膜机的踪迹。 真空压膜通常是指在设备的真空模块内将干膜材料与基材进行贴合，完成加热压膜动作，常见的真空压膜机通常都是采用单段加压覆膜以及预贴膜的方式，但该方式对于表面具有许多细微凸凹结构的晶圆(如高深宽比TSV孔洞、高密度Cu Pillar Bump等)无法满足其高深宽比结构的干膜填覆的晶圆级封装需求;另外，先…
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芯片与粘接材料间空洞解决方案 引起胶水气泡的原因一般有两种，其一，在倒入胶水时候，导致空气进入胶水内部，而胶水黏度比较高，使空气无法从中逃脱;其二，调试胶水不均匀，两种就是导致胶水出现气泡最直接的原因。芯片粘接过程中空洞的出现会导致很多问题的出现，最严重，全线无法生产，需要保证粘接效果无气泡也是非常重要的。 粘接焊接气泡解决方案： 01 洁净度 使用芯片粘接工艺时，应保证粘接界面有良好…
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功率半导体的功能主要是对电能进行转换，对电路进行控制，改变电子装置中的电压和频率，直流或交流等，具有处理高电压，大电流的能力。 在过去相当长的一段时间里，功率半导体市场一直由欧、美、日等外资巨头牢牢占据着主导地位，随着近年来新能源汽车的发展，许多本土企业也纷纷入局。放眼市场，不论是传统Si功率器件IGBT、MOSFET，还是以SiC、GaN等为代表的第三代半导体，国内都有企业布局。 01 …
查看详情 什么是TSV?TSV是硅通孔的简写，利用通孔进行垂直的电连接，贯穿WAFER或芯片。一般来讲这种技术被一些类似台积电，联电和格芯等全球代工厂代工厂制造的。TSV可以替代引线键合和倒装焊技术。 TSV用于2.5 d和3 d封装，用于电连接。根据TSV被制作的时间顺序有3种类型的TSV，分别指在晶圆制作工艺中的前，中或后段。第一个在晶圆制作工艺前段，意味着TSV在FEOL段前加工而成。因此工…
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