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集成电路封装制品中气孔气泡问题的分析

集成电路封装制品中气孔气泡问题的分析

  衡量集成电路塑料封装体的质量指标有很事,本文仪对封装过程小,塑封体的表面和内部产生气泡的原因进行分析,气泡的产生不仅使塑封体强度降低,而且耐湿性、电绝缘性能大大降低,对集成电路安全使用的可靠性将产生很大的影响。情况严重的将导致集成电路制造失败,对于电器的使用留下安全隐患。  塑封体气孔或气泡问题的分析  塑封体的表面或内部存在的气泡或气孔是—种质量缺陷。产生这种缺陷的问题有:①塑封料没有保管好…

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全球封装测试企业营收十强排行榜

全球封装测试企业营收十强排行榜

  1、日月光ASE  中国日月光是全球*大的外包半导体组装和测试制造服务供应商,占有30%的市场份额,其总部设在中国台湾高雄,由张颂仁兄弟于1984年创立。  日月光为全球90%以上的电子公司提供半导体组装和测试服务。封装服务包括扇出晶圆级封装(FO-WLP),晶圆级 芯片级封装(WL-CSP),倒装芯片,2.5D和3D封装,系统级封装(SiP)和铜引线键合等。  该公司的主要业务在中国台湾…

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电子封装中的可靠性问题:封装缺陷、失效等

电子封装中的可靠性问题:封装缺陷、失效等

  封装的失效机理可以分为两类:过应力和磨损。过应力失效往往是瞬时的、灾难性的;磨损失效是长期的累积损坏,往往首先表示为性能退化,接着才是器件失效。失效的负载类型又可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等。  影响封装缺陷和失效的因素是多种多样的, 材料成分和属性、封装设计、环境条件和工艺参数等都会有所影响。确定影响因素和预防封装缺陷和失效的基本前提。影响因素可以通过试验或者模拟仿真的方法来确…

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半导体先进封装类型解析

半导体先进封装类型解析

  在过去几年中,先进封装已成为半导体越来越普遍的主题。在这个由多个部分组成的系列中,SemiAnalysis将打破大趋势。我们将深入研究实现先进封装的技术,例如高精度倒装芯片、热压键合 (TCB) 和各种类型的混合键合 (HB)。  首先让我们讨论一下对先进封装的需求。摩尔定律以迅猛的速度发展。  芯片上数据的输入和输出 (IO) 是计算的命脉。将内存置芯片上有助于通过减少通信开销来减少 I…

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全球晶圆代工厂和封测厂各前十名出炉

全球晶圆代工厂和封测厂各前十名出炉

  台积电(TSMC):台积电(TSMC)在苹果 iPhone新机发表带动下,第三季营收达148.8亿美元,季增11.9%,稳居全球第*。观察各制程节点,7nm及5nm受到智能手机及高效能运算需求驱动,两者营收合计已超越台积电整体过半比重,且持续成长当中。  三星(Samsung):位居第二的三星(Samsung)第三季营收48.1亿美元,季增11%。受到主要手机客户陆续发表新机刺激相关SoC…

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先进半导体封装技术助力汽车电子发展

先进半导体封装技术助力汽车电子发展

  以往,汽车的动力、材质、外形往往是汽车发展的主要方向,也是车厂和用户*为看重的要素。如今,随着汽车电子化程度的提升以及汽车智能化,网络化浪潮的来临,车内半导体数量猛增, 预计到2025年,汽车电子成本会占到整车成本的一半左右。半导体芯片已成为推动汽车产业创新的重要力量之一。  同时,用户体验成为了人们关注的重点。例如,作为用户交互*重要载体,车内屏幕的进化从来都没有停下来过,传统的仪表盘、…

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全贴合气泡产生原因分析和解决方案

全贴合气泡产生原因分析和解决方案

  我们看到这种现象的气泡主要存在于视窗里面,这种气泡是可以通过高温高压消除的,但是这种气泡在消掉后时间久了气泡会反弹,而且会慢慢睁大  我们观察到了以上气泡现象,我们想消除一个东西必须知道这个东西发生的原理。所谓说知己知彼百战不殆。我们先来了解一下气泡产生的原理  脱泡三大要素:时间、温度、压力。  温度加热:可以增加胶的粘度,加速胶的流动性,增加滋润度  压力加压:可以加速胶的流动 ,增加滋润…

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传统集成电路IC封装的生产过程及七道工序

传统集成电路IC封装的生产过程及七道工序

  传统半导体封装的七道工序  晶圆切割首先将晶片用薄膜固定在支架环上,这是为了确保晶片在切割时被固定住,然后把晶元根据已有的单元格式被切割成一个一个很微小的颗粒,切割时需要用去离子水冷却切割所产生的温度,而本身是防静电的。  晶圆粘贴晶圆粘贴的目的将切割好的晶元颗粒用银膏粘贴在引线框架的晶元庙上,用粘合剂将已切下来的芯片贴装到引线框架的中间燥盘上。通常是环氧(或聚酰亚胺)用作为填充物以增加粘合剂…

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SiC芯片功率模块封装技术的新挑战

SiC芯片功率模块封装技术的新挑战

  化合物半导体市场SiC功率模块封装技术的新挑战  New challenge  01 引线键合和复杂的内部互连结构带来的问题  引线键合和复杂的内部互连结构带来较大的寄生电容和寄生电感。SiC 功率芯片的开关速度可以更快,因而电压和电流随时间的变化率(dv/dt 和di/dt)就更大,这会对驱动电压的波形带来过冲和震荡,会引起开关损耗的增加,严重时甚至会引起功率器件的误开关,因此 SiC …

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